图书介绍

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集成电路实现、电路设计与工艺
  • (美)Louis Scheffer,Luciano Lavagno,Grant Martin著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:7030214919
  • 出版时间:2008
  • 标注页数:529页
  • 文件大小:268MB
  • 文件页数:555页
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图书目录

引言2

发明2

应用3

集成6

按比例缩小问题的特点11

小结13

参考文献15

引言16

行为级和寄存器传输级综合16

两级最小化17

多级逻辑最小化19

使工艺能够适合于逻辑综合25

时序优化26

物理综合28

多值逻辑综合29

小结30

参考文献30

引言42

功耗分析43

电路级功耗优化49

低功耗逻辑综合52

小结54

参考文献55

引言56

等价检验问题57

布尔推理59

组合等价检验64

时序等价检验68

小结70

参考文献71

布局问题及背景74

整体布局76

详细布局及矫正器86

布局的发展趋势88

学术界和工业界的布局工具90

小结90

参考文献91

引言95

组合电路和时序电路的表示法95

门延时模型96

组合电路的时序分析97

时序电路的时序分析100

同步约束——边沿触发电路101

同步与时钟歪斜优化102

统计的静态时序分析105

小结109

参考文献109

引言111

数据通道112

可编程逻辑阵列122

存储器和寄存器文件123

结构化芯片设计126

小结130

参考文献130

引言132

布线器类型132

布线的简要历史135

通用的布线算法136

有关布线器的附加考虑140

参考文献146

引言149

设计库的定义149

如何得以实现150

商业上的努力152

努力的方向153

进步的障碍153

驱动发展的环境153

库及其内容153

小结154

参考文献155

引言156

发展现状165

设计收敛的发展前景179

小结180

参考文献180

引言182

芯片-封装协同设计的推动因素182

数字系统协同设计问题184

混合信号协同设计问题186

1/O缓冲界面标准和其他宏模型186

小结188

参考文献188

引言190

历史190

现代数据库举例191

基本特性192

高级特性197

技术数据200

库数据和结构——设计数据管理200

协同工作模型201

参考文献202

引言205

系统级工具209

逻辑综合209

物理设计216

展望229

参考文献229

引言236

通过改进的结点分析法建立电路的代数微分方程237

器件模型238

基础电路仿真——直流分析244

稳态分析246

多时间分析250

RF设计中的噪声256

小结264

参考文献265

引言268

自顶向下的混合信号设计方法268

混合信号及行为级仿真274

模拟行为和功率模型的生成技术279

模拟电路的符号分析282

小结283

参考文献284

引言288

模拟版图问题及其解决方法289

模拟单元布局策略291

混合信号系统布局294

现场可编程模拟阵列296

小结297

参考文献297

引言306

物理验证的几何算法310

层次化数据结构311

层级化分析的时间复杂性313

连通性模型313

并行计算314

验证在未来所起的作用314

参考文献315

引言316

光刻效应316

更小k1的RET319

RET方案的软件实现324

掩膜数据准备335

小结338

参考文献339

引言343

良率损耗机理分类法344

用于制造业的逻辑设计347

适合制造业方法的参数设计352

设计流程中的制造业集成设计——良率的物理综合357

小结359

参考文献359

引言362

电压降分析模式363

线性系统求解技术366

功率分配网络模型367

小结372

参考文献372

引言374

噪声会变成数字芯片设计难题的原因374

数字设计中的噪声效应375

静态噪声分析379

电学分析385

噪声问题的解决388

小结390

参考文献391

引言393

早期的历史393

问题的分析394

系统性能394

将所画的几何图形转换为实际的几何图形395

所设计器件的提取396

连通性提取398

寄生电阻提取399

电容提取技术401

电感提取技术403

网络化简407

工艺变差408

小结408

参考文献408

引言414

混合信号噪声耦合的机理和影响415

混合信号噪声耦合建模419

混合信号噪声测量与确定428

在布局和功率分配综合中的应用430

小结432

参考文献432

引言438

工艺仿真方法439

离子注入440

扩散443

氧化447

刻蚀和沉积448

光刻和光刻胶建模453

硅化物453

结构建模453

合而为一455

小结455

参考文献456

引言457

MOS技术与本征器件建模459

寄生结和异质结衬底效应474

器件技术选择477

小结480

参考文献481

引言483

通过快速积分方程法实现参数提取484

统计电容提取494

参考文献501

专业术语中英文对照507

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