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前言1

肖克莱模型1

肖克莱模型的四个假设1

根据肖克莱模型进行FET工作原理的解析4

跨导与漏极电导15

Lehovec-Zuleeg模型16

肖克莱模型的局限性与迁移率的电场依存性16

根据Lehovec-Zuleeg模型进行FET工作原理的解析18

漏极电流的饱和及沟道的导通程度19

跨导与漏极电导20

Statz模型（二区域模型）22

肖克莱模型与Lehovec-Zuleeg模型的局限性及漏极电流饱和后的处理方法22

根据Statz模型进行FET工作原理的解析23

跨导与漏电导27

根据计算机进行FET工作原理的二维数值解析30

根据解析手法进行FET工作原理解析的局限性30

考虑了迁移率电场依存性的二维数值解析（Kennedy-O′Btien模型）31

考虑了GaAs负微分迁移率的二维数值解析（山口模型）38

短栅长FET41

速度过冲（velocity overshoot）42

纵横比的低下43

短栅长FET的工作原理44

前言48

FET的功率增益48

FET的剖面构造与等效电路49

由等效电路参数所表示的FET功率增益51

FET本征区域的高频化55

提高截止频率55

栅极-漏极间电容的影响58

通过低减寄生参数来实现FET的高频化59

减小源电阻59

减小栅电阻59

减小源电感60

减小栅极-漏极间电容61

根据单指栅宽的最优化来实现FET的高频化61

根据分布参数电路模型来解析FET的工作原理62

最优化单指栅宽63

前言65

S参数65

为什么要应用S参数65

传输线路与行波67

S参数的定义69

S参数的测试71

测试基准面的变换73

用史密斯（阻抗）圆图表示S参数74

史密斯圆图74

史密斯圆图的量纲与S参数78

GaAs FET的S参数实测例79

S参数的信号流向图（Signal Flow Graph）表示84

信号流向图的规则85

将两端口网络与信号源及负载相接续时的信号流向图86

转换功率增益87

转换功率增益的定义87

根据信号流向图推导转换功率增益表达式89

资用功率增益89

资用功率增益的定义89

资用功率增益表达式90

最大资用功率增益91

FET的稳定性与稳定因子92

最大资用功率增益99

最大单向功率增益100

Mason定理100

最大单向功率增益102

最高振荡频率104

最高振荡频率的定义104

最高振荡频率的实测104

截止频率106

第三章的附录106

附录Ⅰ式（3.17）的推导106

附录Ⅱ式（3.51）的推导108

附录Ⅲ式（3.60）的推导110

附录Ⅳ式（3.94）的推导112

附录Ⅴ式（3.104）的推导118

前言125

噪声的基本概念125

热噪声126

散粒噪声127

产生复合噪声129

1／f噪声129

量子噪声130

FET的噪声源131

根据二区域模型进行FET噪声的解析133

噪声系数135

噪声系数的定义136

使用最简单的FET等效电路进行噪声系数解析137

漏极噪声与感应栅极噪声的相关性140

使用考虑了寄生参数的FET等效电路进行噪声系数解析144

在假设无噪声（noiseless）FET前提下进行噪声系数解析145

最小噪声系数147

最小噪声系数的等效电路参数表示148

GaAsFET噪声系数的测试152

低噪声GaAs FET的试制153

低噪声GaAs FET的设计153

低噪声GaAs FET的试制与噪声系数的测试155

低噪声HEMT157

HEMT的结构158

HEMT的工作原理159

HEMT的噪声165

低噪声HEMT的特性与应用170

低噪声HEMT的未来174

第四章的附录175

附录Ⅰ由速度非饱和区域所产生的漏极噪声（漏极噪声Ⅰ）iD1，VD1的推导175

附录Ⅱ由速度饱和区域所产生的漏极噪声（漏极噪声Ⅱ）iD2，VD2的推导178

附录Ⅲ由速度非饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声（感应栅极噪声Ⅰ）iG1，VG1的推导181

附录Ⅳ由速度饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声（感应栅极噪声Ⅱ）iG2，VG2的推导182

附录Ⅴ相关因子C的详细表达式184

附录Ⅵ考虑了寄生参数的FET的噪声系数式的推导185

附录Ⅶ式（4.62）的推导189

前言192

大功率FET的工作原理192

大功率FET的基本原理及最大输出、饱和输出功率192

漏极效率与功率附加效率196

大功率FET的线性增益及大信号工作时的漏极阻抗197

B类工作及高效率工作199

高频大功率FET版图结构的设计201

设计输出功率及全栅宽201

单指栅宽的实验研讨203

设计工作频率及芯片尺寸205

并列工作与焊接区数量207

高频大功率FET的版图结构207

FET的击穿电压209

FET的漏极击穿电压209

FET的栅极击穿电压（侧向栅极击穿电压）211

FET的缓冲层的击穿电压215

FET的热阻217

沟道温度上升及器件性能217

FET的散热模型（梳形结构FET）219

栅极·栅极间隔与热阻222

衬底厚度与热阻222

热阻的测试法223

源电感的降低（特别是通路孔结构）223

通常的通路孔结构223

考虑了芯片尺寸的通路孔结构224

源极电感的低减效果226

大功率GaAs FET高频输出功率的测试228

大功率GaAs FET的试制230

大功率GaAs FET的设计230

大功率GaAs FET的试制与实测232

大功率GaAs FET的性能及其应用234