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第1章 沙盒1

1.1IC概述1

1.2在显微镜下观测2

1.3基本工艺4

1.4掩膜版9

1.5CMOS层次10

1.6工艺增强10

1.7完全不同的规模12

1.8MOS晶体管13

1.9SPICE模型15

1.10局限性16

1.11优点19

第2章 代工厂和制备工艺25

2.1不同的代工厂，不同的使命25

2.2样片试验服务28

2.2.1MOSIS28

2.2.2Europractice29

2.3高技术、高成本30

2.4实用的沙盒技术31

第3章 经济成本35

3.1芯片费用和良率36

3.2经济实例39

3.3测试和晶圆检测44

3.4小批量生产45

3.5MLM小结46

3.6晶圆定价47

3.7设计工具和时间48

第4章 设计工具49

4.1原理图工具50

4.2版图工具52

4.3设计规则检查56

4.4提取60

4.5版图与原理图对比63

4.6SPICE工具64

4.7逻辑仿真器66

4.8布局和布线工具67

4.9逻辑综合工具68

第5章 标准单元设计71

5.1沙盒规则集71

5.2设计规则的构建73

5.3绘制及导出的层次75

5.4简单单元76

5.5标准单元设计问题77

5.6将单元整合到一个恒定高度82

5.7自动布线83

5.8标准单元库84

5.9标准单元的传输延迟89

5.10Verilog模型92

第6章 外围电路99

6.1体电阻和方块电阻100

6.2绝缘体的介电常数101

6.3半导体103

6.4二极管结104

6.5齐纳二极管104

6.6双极型晶体管105

6.7MOSFET105

6.8静电释放106

6.9焊盘及密封环107

6.10保护器件109

6.11闩锁效应111

6.12横向双极型器件112

6.13负阻现象113

6.14少数载流子注入衬底114

6.15电源箝位和电源线电导率115

6.16焊盘保护的设计117

6.17低频干扰的焊盘设计118

第7章 特殊逻辑结构和存储器121

7.1定制存储器123

7.2存储器核心——SRAM123

7.3存储器的I／O部分125

7.4字线译码器128

7.5控制“边角”132

7.6只读存储器134

7.7动态存储器136

7.8差分DRAM137

7.8.1读出放大器的统计偏移量140

7.8.2软错误141

7.9DRAM时序142

7.10其他存储器145

7.11实验的非易失性结构146

第8章 逻辑、二进制数学与处理151

8.1逻辑入门151

8.2移位寄存器157

8.3同步时钟158

8.4计数器158

8.5二进制编码系统161

8.6饱和限制163

8.7超前进位产生164

8.8乘法器165

8.9数字滤波166

8.10FIR滤波器167

8.11IIR滤波器169

8.12处理器174

8.13二进制小数点175

8.14简化辅助处理电路177

8.15LOG和EXP178

8.16同步180

8.17波形的生成181

8.18伪随机噪声182

8.19串行接口182

8.20调制编码183

8.21脉冲宽度调制输出电路185

8.22数字滞后187

第9章 模拟电路和放大器189

9.1MOSFET的工作区域189

9.2体效应194

9.3MOS结构电容195

9.4温度效应196

9.5电流源和电流宿197

9.6偏置源200

9.7CMOS放大器201

9.7.1差分放大器204

9.7.2电流镜放大器209

9.7.3折叠式级联放大器212

9.8根据电流密度确定器件尺寸213

9.9MOSFET的噪声215

9.10闭环稳定性219

9.11驱动电阻性负载224

9.12宽频带放大器225

第10章 带隙基准源227

10.1带隙基准1——基础原理229

10.2带隙基准设计2230

10.3带隙基准设计3232

10.4带隙基准设计4234

10.5半带隙237

10.6带隙电源预调整238

10.7温度感应器240

第11章 振荡器、锁相环和射频导论243

11.1LC振荡器243

11.2RC振荡器244

11.3锁相环249

11.4锁相环仿真注意事项256

11.5射频本地振荡器和预分频器257

11.6四象电路和混频器260

第12章 转换器和开关电容技术263

12.1阶梯型DAC263

12.2ADC转换器267

12.2.1逐次逼近型ADC267

12.2.2闪烁型转换器269

12.2.3低速率ADC转换器272

12.2.4平均转换器274

12.3开关电容转换器277

12.3.1差分开关电容结构279

12.3.2高级别的Δ-Σ转换器284

12.3.3开关电容噪声291

12.3.4过采样转换器的后处理292

12.3.5多相时钟293

第13章 封装和测试297

13.1概述297

13.2首次流水的硅片和样品封装303

13.3产品测试305

13.4测试矢量307

第14章 总结及补充309

14.1GND和VDD分布311

14.2中间电源313

14.3衬底连接和敏感电路313

14.4电源提升电路314

14.5施密特触发器315

14.6ASIC产品的测试315

14.7传感器317

14.7.1光学传感器318

14.7.2CMOS照相机320

14.8霍尔传感器和应变传感器321

14.9电源升压电路322

14.10我的电路，你的电路323

14.11小结324