图书介绍

超大规模集成电路技术2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

（美）施敏（Sye，S.M.）主编；章定康等译著
出版社：北京：科学出版社
ISBN：15031·873
出版时间：1987
标注页数：736页
文件大小：37MB
文件页数：750页
主题词：

PDF下载

点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢] [在线试读本书] [在线获取解压码]

点击复制MD5值：f0793411e0b291b33098901f9dfde4d1

下载说明

超大规模集成电路技术PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载详情点击-查看共享计划

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数要大于标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

目录1

序言1

导论1

第一章晶体生长和晶片的制备9

1.1 引言9

1.2 电子纯硅10

1.3 切克劳斯基（Czochralski）晶体生长14

1.4 硅的整形34

1.5 工艺考虑46

1.6 小结与展望50

参考文献51

习题53

第二章外延55

2.1 引言55

2.2 汽相外延56

2.3 分子束外延81

2.4 绝缘体上硅88

2.5 外延层的评价92

2.6 小结与展望96

参考文献98

习题101

第三章介质和多晶硅薄膜的淀积102

3.1 引言102

3.2 淀积工艺104

3.3 多晶硅108

3.4 二氧化硅117

3.5 氮化硅130

3.6 等离子体淀积132

3.7 其他材料136

3.8 小结与展望137

参考文献139

习题141

第四章氧化143

4.1 引言143

4.2 生长机制和动力学144

4.3 氧化技术和氧化系统163

4.4 氧化层特性167

4.5 掺杂元素在界面上的再分布172

4.6 多晶硅氧化175

4.7 氧化诱发缺陷176

4.8 小结与展望179

参考文献181

习题183

第五章扩散184

5.1 引言184

5.2 固体中的扩散模型185

5.3 菲克一维扩散模型187

5.4 原子扩散机理193

5.5 测量技术200

5.6 硼、磷、砷及锑的扩散率209

5.7 二氧化硅中的扩散222

5.8 硅中的快扩散杂质225

5.9 多晶硅中的扩散225

5.10 扩散的增强与阻滞228

5.11 小结与展望233

参考文献235

习题237

第六章离子注入239

6.1 引言239

6.2 离子注入系统和剂量控制240

6.3 离子射程245

6.4 无序的产生258

6.5 注入掺杂剂的退火263

6.6 浅结（As，BF2）276

6.7 少数载流子效应277

6.8 吸杂278

6.9 超大规模集成电路工艺中的效应282

6.10 小结与展望283

参考文献285

习题288

7.1 引言291

第七章刻蚀291

7.2 刻蚀工艺292

7.3 光学刻蚀300

7.4 电子束刻蚀307

7.5 X射线刻蚀315

7.6 其他刻蚀技术323

7.7 小结与展望327

参考文献329

习题330

8.1 引言332

第八章干腐蚀332

8.2 图形转换334

8.3 低压气体放电342

8.4 等离子体腐蚀技术348

8.5 腐蚀速率和选择性控制353

8.6 边缘剖面的控制364

8.7 副作用369

8.8 超大规模集成电路技术的干法腐蚀工艺371

8.9 小结与展望377

参考文献379

习题380

第九章金属化383

9.1 引言383

9.2 物理气相淀积方法391

9.3 金属化中遇到的问题399

9.4 金属化失效405

9.5 栅和互连用的硅化物412

9.6 侵蚀与键合420

9.7 展望421

参考文献423

习题425

第十章工艺模拟427

10.1 引言427

10.2 外延428

10.3 离子注入433

10.4 扩散和氧化440

10.5 刻蚀452

10.6 腐蚀与淀积475

10.7 器件模拟484

10.8 小结与展望488

参考文献489

习题491

第十一章超大规模集成电路工艺汇总493

11.1 引言493

11.2 集成电路工艺的基本问题494

11.3 双极集成电路技术497

11.4 NMOS集成电路技术511

11.5 CMOS集成电路技术530

11.6 超大规模集成电路的小型化544

11.7 现代集成电路的制造551

11.8 小结与展望554

参考文献556

习题559

第十二章诊断技术563

12.1 引言563

12.2 形貌测定564

12.3 化学分析576

12.4 晶体结构和力学性质591

12.5 电学测绘599

12.6 小结与展望605

参考文献607

习题609

第十三章组装技术和封装611

13.1 引言611

13.2 大圆片的切割与分类612

13.3 芯片互连613

13.4 封装类型和制造工艺632

13.5 关于封装的特殊问题645

13.6 封装应用方面的问题648

13.7 小结与展望659

参考文献661

习题663

第十四章成品率及可靠性665

14.1 引言665

14.2 超大规模集成电路中成品率下降的机理666

14.3 成品率下降机理的模型分析670

14.4 超大规模集成电路的可靠性要求680

14.5 失效分布、可靠性及失效率的数学表示682

14.6 通用的分布函数685

14.7 加速试验694

14.8 失效机理702

14.9 小结与展望706

参考文献707

习题708

附录711

A．硅的特性711

B．符号表712

C．国际单位制714

D．物理常数714

索引716

编后记737