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第1章　概述1

1.1　半导体工业的发展1

目录1

1.2　国外半导体工业发展的动态3

1.2.1　硅集成电路发展现状3

1.2.2　硅集成电路今后的发展概况13

1.2.3　硅片产业的发展现状25

1.3　中国半导体工业的发展31

第2章　硅的物理、化学及其半导体性质39

2.1　硅的基本物理、化学性质39

2.2　硅的半导体物理、化学性质41

2.2.1　硅的晶体结构41

2.2.2　硅的电学性质47

2.2.3　硅的光学性质51

2.2.5　硅的机械性质52

2.2.6　硅的化学性质52

2.2.4　硅的热学性质52

第3章　集成电路用硅单晶、抛光片的制备55

3.1　集成电路对硅单晶、抛光片的技术要求55

3.2　控制硅片质量的相关主要特征参数及有关专用技术术语解释58

3.3　硅单晶的制备71

3.3.1　直拉单晶生长方法72

3.3.2　区熔单晶生长方法83

3.4　硅单晶抛光片的制备87

3.4.1　硅单晶抛光片的制造工艺流程88

3.4.2　硅单晶棒的截断91

3.4.3　硅单晶棒的外圆磨削93

3.4.4　硅单晶片定位面加工95

3.4.5　硅晶棒表面的腐蚀96

3.4.6　硅切片96

3.4.7　硅片倒角103

3.4.8　硅片的双面研磨或硅片的表面磨削107

3.4.9　硅片的腐蚀119

3.4.10　硅片的表面处理124

3.4.11　硅片的边缘抛光127

3.4.12　硅片的表面抛光128

3.4.13　硅片的激光刻码149

3.4.14　硅片清洗153

3.4.15　硅抛光片的洁净包装170

3.4.16　其他的硅晶片172

第4章　硅片的运、载188

4.1 氟塑料（TEFLON）的基本特性188

4.2　半导体工业常用的塑料制品——硅片的运、载花篮及包装盒192

4.3　硅抛光片的洁净包装196

4.4　其他相关的工装用具198

第5章　硅单晶、抛光片的测试203

5.1　硅片主要机械加工参数的测量204

5.2　硅单晶棒或晶片的晶向测量209

5.3　导电类型（导电型号）的测量215

5.4　电阻率及载流子浓度的测量217

5.5　少子寿命测量220

5.6　氧、碳浓度测量224

5.7　硅的晶体缺陷测量228

5.8 电子显微镜和其他超微量的分析技术234

第6章　洁净室技术252

6.1　概述252

6.2　洁净室空气洁净度等级及标准252

6.3　洁净室在半导体工业中适用范围262

6.4　洁净室的设计267

6.5　洁净室的维护及管理270

7.1 电力供给系统277

第7章　半导体工厂的动力供给系统277

7.2　超纯水系统278

7.2.1　半导体及IC工业对超纯水的技术要求279

7.2.2　超纯水的制备281

7.3　高纯化学试剂及高纯气体288

7.3.1　半导体工业用的高纯化学试剂288

7.3.2　高纯气体291

7.4　三废（废水、废气、废物）处理系统及相关安全防务系统297

参考文献299