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目录1

第一章　可控硅元件的电压1

1-1　半导体的导电机构和PN结的形成2

1-2　PN结的反向电压和硅单晶材料的关系25

1-3 电流放大系数和可控硅元件的电压52

1-4　可控硅元件长、短基区的设计估算80

1-5　可控硅元件的高温特性105

1-6　磨角与保护115

2-1　可控硅元件控制极触发导通的原理126

第二章　可控硅元件的控制极参数126

2-2　控制极电压和电流的估算130

第三章　可控硅元件的通态特性144

3-1　硅整流元件的正向工作情况144

3-2　可控硅元件的导通状态155

3-3　通态压降的计算及其讨论165

3-4　可控硅元件的电流容量和电流过载能力186

第四章　可控硅元件的动态特性201

4-1　可控硅元件的开通过程202

4-2　阳极-阴极间加有迅速上升的正向电压216

引起可控硅元件的导通216

4-3　可控硅元件承受电流上升率的能力227

4-4　可控硅元件的关断过程236

第五章　可控硅元件诸参数与特性的相245

互关系及综合考虑245

5-1　参数与特性的相互关系246

5-2　大功率可控硅元件主要参数的设计考虑253

5-3　大功率可控硅元件最大转换功率的设计考虑264

第六章　关于可控硅元件制造工艺的一些问题277

6-1　元件制造工艺277

6-2　制造可控硅元件的挖槽工艺322

6-3　硅单晶的不均匀性对元件性能的影响326

6-4　工艺检测方法330

第七章　关于可控硅元件参数测试中的几个问题350

7-1　静态参数的测量350

7-2　动态参数的测量360

7-3　可控硅元件一些物理参数的测量367

附表1 自然对数表386

附表2 误差函数表389

附表3 硅的物理特性392

附表4 常用物理常数表392

附表5 常用单位换算表392

附表6 本书采用的物理量和参数符号表393