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前言1

序1

主要符号，基本常数值，能量单位的变换因子第1章 半导体原理（郑广垣译）引言1

目录1

电子和空穴2

能带4

能带的自由原子分析方法4

能带的自由电子分析方法8

本征半导电14

半导电性14

施主和受主16

杂质半导体16

偏离化学计量比18

施主和受主的能级19

电子和空穴的平衡21

费密-狄喇克分布定律21

费密-狄喇克统计对半导体的应24

用24

电导率30

载流子的行为30

霍耳效应33

塞贝克效应35

霍耳效应和塞贝克效应的比较39

非平衡载流子的行为39

结41

p-n结41

面结合型半导体三极管43

第2章 半导体化学的概论（方俊鑫译）引言46

本征半导体47

主族49

d带半导体54

有机半导体54

具有正常离子性电导的材料的电子电导55

应用58

不完整性58

电子和空穴（符号e-和e+）61

空格点（符号V,VM,V？等）62

填隙原子（符号I,MI,M？等）66

格点的替位（符号S,Ms,M？等）67

不完整性的互作用；复式不完整性69

不完整性化学理论的概述73

复杂系统中的平衡75

在表面和位错处的化学77

第3章 半导体晶体的生长（屈逢源译）引言80

从熔体中生长81

一般考虑82

在坩埚中生长87

晶体的抽制91

无坩埚的生长101

一般考虑110

从溶液中生长110

溶液技术112

从汽相中生长晶体116

一般考虑116

直接从蒸汽生长117

从汽相中利用化学反应的生长120

第4章 凝固方法控制半导体成分（屈逢源译）引言129

平衡时的液相和固相130

理想的二元系溶液和固溶体130

理想稀固溶体和理想液体溶液131

熔点附近的分配系数、液线和固线134

分配系数作为温度和成分的函数135

分配系数的相互关系138

非平衡时的固相和液相：凝固139

一种组元液体的凝固139

两种组元液体的凝固141

液相和固相中的输运过程对成分的142

影响142

平衡凝入142

简单凝入143

受扩散控制的凝入143

正常凝固146

凝固方法对固相成分的影响146

区域熔化147

守恒的凝固法147

不守恒的凝固法150

应用151

纯化152

均匀的固相成分155

非均匀的杂质分布157

第5章 半导体中缺陷的互作用（包宗明译）引言167

理论背景168

复相平衡169

缺陷作为品种170

半导体中缺陷的平衡170

半导体和水溶液间的类同170

溶解度平衡——空穴-电子平衡效应173

溶解度平衡——离子配偶对于溶解度的作用177

离子偶过程和动力学179

含有锂的离子偶180

离子配偶弛豫182

离子偶和载流子的互作用184

三重离子185

替位离子的配偶186

其他缔合的复合物188

空格点-空格点配偶188

空格点-原子和空格点-离子复合物188

半导体中化合物的形成189

施主和受主原子之间的反应190

在含氧硅中的反应190

第6章 锗和硅中的扩散过程（唐璞山译）引言195

扩散过程的基本原理195

扩散系数的概念195

化学势及扩散197

扩散中的边界值问题197

扩散动力学198

半导体中扩散的测量200

总电导方法201

薄层电导202

p-n结方法204

电容方法205

其他电学方法206

锗和硅中扩散的研究206

氢和氦在锗和硅中的扩散206

锂在锗和硅中的扩散208

铜在锗和硅中的扩散211

Ⅲ族和Ⅴ族元素在锗和硅中的215

扩散215

其他元素的扩散218

表面效应219

宏观扩散中的内建场221

在硅中氧的扩散223

可控扩散的反应224

辐射致损伤的退火226

铜、镍、锂在锗和硅中的沉淀227

第7章 几种化合物半导体的化学（包宗明译）引言239

晶体不完整性的一般处理240

术语240

蒸汽和具有弗仑克尔无序的晶体之间的平衡241

完全离化而来的简化243

外来原子的加入246

应用于实验249

硫化铅249

在硫化铅中的填隙铜原子255

硫化镉257

氧化钡260

氧化锌267

烧结氧化锌275

第8章 Ⅳ族半导体（陆栋译）278

引言278

锗和硅的本征电学性质279

能带279

晶格振动谱289

本征电导性和禁带292

杂质及不完整性的作用294

“浅”杂质能级295

离化平衡297

深位置的杂质能级300

等温的输运现象304

一般的实验程序305

电导率和迁移率306

p型材料的晶格散射313

杂质的作用315

n型材料中的磁阻321

压阻323

热输送性质324

实验程序325

温差电学325

热磁现象330

热导331

锗和硅的其他性质333

在强电场的非欧姆行为——“热电子”333

热力学性质334

磁化率335

其他Ⅳ族半导体336

金刚石336

锗硅合金337

碳化硅337

灰锡338

液相338

第9章 几种共价半导体的性质（蒋平译）引言343

Ⅲ-Ⅴ族化合物343

锑化铟345

砷化铟357

磷化铟361

锑化镓363

砷化镓364

锑化铝368

其他Ⅲ-Ⅴ族化合物369

Ⅴ-Ⅵ族化合物（A？B？）369

Ⅱ-Ⅳ族化合物（A？BIV）375

碲、硒和硼377

第10章 半导体的红外吸收（王迅译）引言388

实验方法388

能带之间的电子跃迁390

硅和锗的吸收限390

硅锗合金的吸收限395

锑化铟的吸收限396

振荡磁光吸收397

EG的温度和压强效应399

满带间跃迁400

晶格吸收403

自由载流子吸收406

有效质量的确定409

电极化率409

红外回旋共振411

杂质态411

浅杂质态的理论415

理论和实验结果的比较418

光学电离能420

深能级421

电性不活泼杂质421

光电导性425

第11章 复合和陷阱（孙恒慧译）430

引言430

复合430

锗复合中心的化学起源434

晶体不完整性作为锗的复合中心436

寿命的温度依赖关系437

硅和锑化铟的复合437

测量寿命的方法439

辐射复合445

少数载流子的陷阱446

陷阱中心的化学起源449

第12章 不完整性对锗和硅的效应（屈逢源译）引言453

缺陷的类型453

点缺陷454

线缺陷454

面缺陷456

范性形变457

位错理论的基础457

位错运动459

位错源459

位错的弹性互作用462

位错的组合464

位错的割阶464

加工硬化465

同点缺陷的互作用466

锗和硅中的位错467

位错的几何467

位错的检察469

锗和硅的形变469

对位错理论的证实472

缺陷对性质的影响474

轰击的效应474

淬火效应475

形变效应475

退火效应476

位错对载流子数目的影响476

位错对迁移率的效应479

位错对寿命的效应479

第13章 几种氧化物和硫化物的半导电性质（钱佑华译）引言482

非单晶样品的特质483

电导率484

霍耳效应486

温差电动势率487

介电常数487

微孔电导率488

晶格极化的作用491

晶格振动的极化支同导电电子和空穴491

耦合常数495

光学支散射496

极化子和束缚态499

有效离子电荷500

硷土氧化物502

氧化镁502

氧化钡507

氧化钙和氧化锶513

纤维锌矿-闪锌矿型化合物513

氧化锌516

硫化镉520

碲化镉523

其他化合物——氧化镉525

硫化铅、硒化铅和碲化铅525

第14章 3d过渡金属的氧化物（蒋平译）引言535

反铁磁性537

原子轨道和晶体场541

3d带545

TiO2（组态d0）546

TiO（组态d2）547

Ti2O3（组态d1）和V2O3（组态d2）548

4s,3d和2p能级的相对能量550

氧化镍，NiO555

氧化铁，Fe2O3561

3d能级中的输运563

第15章 有机半导体（戴道宣译）567

引言567

实验技术概述569

粉末和蒸发薄膜的测量570

单晶体的半电导性577

蒽（单斜晶系：空间群C？）578

萘（单斜晶系：空间群C？）579

酞花菁和金属酞化菁（单斜晶系：空间群O？）581

嵌二萘582

对联三苯582

反茋和苯茋582

单晶体的光电导性583

杂质的作用585

其他实验资料587

结晶学的数据587

温差电的测量588

磁学性质588

电离势和电子亲合势589

光谱的数据589

不存在电解的验证590

介电性质590

点接触整流590

实验结果的综述591

理论研究592

展望599

附录600

第16章 半导体表面（郑广垣译）606

引言606

术语的定义608

半导体的表面608

金属-半导体系统610

气体或真空-半导体系统613

空间电荷区中载流子的迁移率613

表面状态614

小结616

半导体上的吸附617

理论617

实验620

厚氧化膜622

薄氧化膜623

催化作用624

光效应624

半导体上的光催化作用629

半导体表面的电学性质630

通论630

清洁表面的电学测量631

单质半导体的腐蚀表面的电学测量636

化合物半导体645

第17章 半导体电极（钱佑华译）653

引言653

边界层间的电势降654

平衡的情况654

界面区域中的电荷分布656

电荷迁移的过程658

准平衡的电极动力学662

空穴和电子的供应662

唯象方程664

锗电极666

锗电极上的其他反应671

其他半导体电极671

腐蚀动力学：蚀刻672