图书介绍

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相变存储器
  • 宋志堂著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:9787030267405
  • 出版时间:2010
  • 标注页数:253页
  • 文件大小:45MB
  • 文件页数:262页
  • 主题词:相变-存贮器

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图书目录

第1章 绪论1

1.1半导体存储器简介1

1.2相变存储器概述8

1.3相变存储器研究现状12

1.4相变存储器的发展趋势14

参考文献19

第2章 Ge2Sb2Te5相变材料及其改性22

2.1 Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征22

2.2 Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂30

2.3 Ge2Sb2Te5薄膜的氧离子掺杂38

2.4纳米复合相变材料45

参考文献49

第3章 新型相变材料52

3.1新型相变材料筛选理论与方法52

3.2 SiSbTe相变材料66

3.3环境友好无碲SiSb相变材料81

参考文献101

第4章 相变存储单元制备及关键工艺106

4.1纳米加热电极106

4.2相变材料的干法刻蚀工艺110

4.3化学机械抛光(CMP)116

4.4电子束曝光工艺128

参考文献138

第5章 相变存储器模拟141

5.1相变存储单元读、写操作的器件模拟141

5.2 Hspice电学模拟164

参考文献173

第6章 新结构相变存储单元175

6.1基于夹在多晶锗层间的GeSbTe PCRAM器件175

6.2相变存储器用三氧化钨下加热层187

6.3相变存储单元底电极结构的改进——针状电极191

6.4横向纳米线结构197

参考文献204

第7章 相变存储器测试206

7.1材料电性能表征测试206

7.2器件电性能测试及操作特性测试209

7.3工艺一致性测试及WAT217

7.4产品测试219

第8章 相变存储器设计与制造221

8.1相变存储器的整体结构221

8.2相变存储单元设计222

8.3驱动模块设计224

8.4基准电路设计227

8.5控制逻辑设计228

8.6相变存储器芯片制造229

参考文献253

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