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目录1

绪论1

第一章　纯金属的热发射6

引言6

1.1　纯金属热电子发射现象6

1.2　纯金属的自由电子模型8

1.3　自由电子的统计分布10

1.4　自由电子的动量配分函数15

1.5　金属的内电位、逸出功和接触电位差16

1.6　李查孙公式22

1.7　电子初速及电子流的能量密度26

第二章　电场对于金属热发射的影响28

引言28

2.1　发射电流随着收集极电压的变化情形28

2.2　柜斥场下的电流30

2.3　加速场下的电流——肖特基效应31

2.4　空间电荷限制区36

2.5　二分之三次方定律38

2.6　电子初速分布的影响40

引言46

3.1　李查孙直线法46

第三章　逸出功的量测46

3.2　“理想”二极管48

3.3　从加速场外延求零场电流51

3.4　脉冲法53

3.5　低温量测法54

3.6　量热法56

3.7　接触电位差法59

3.8　表面纯净度的重要性61

3.9　一些金属的逸出功及纯金属阴极62

引言67

第四章　阴极温度的量测67

4.1　物体在高温时的辐射68

4.2　能量温度70

4.3　亮度温度71

4.4　颜色温度72

4.5　光测高温计73

4.6　光谱辐射系数的测定75

4.7　温差电偶法76

4.8　电阻法77

4.9　谐波分量法78

第五章　原子薄膜阴极82

引言82

5.1　复钍钨阴极热发射的物理现象83

5.2　发射机理的探讨84

5.3　蒸发与扩散的平衡89

5.4　非正常肖特基效应92

5.5　碳化复钍钨阴极95

5.6　复钡钨95

5.7　复铯钨及其他96

第六章　氧化物阴极97

引言97

6.1　半导体及其一些性质97

6.2　氧化物阴极的制备105

6.3　氧化物阴极的模型108

6.4　氧化物阴极的逸出功112

6.5　涂层的电导率115

6.6　涂层性质随着运用时间的变化118

6.7　氧化物阴极的伏安特性119

6.8　氧化物阴极的脉冲发射121

6.9　中毒现象123

第七章　储备式热发射阴极及其他126

引言126

7.1　氧化物阴极的缺点及其改进类型126

7.2　氧化钍阴极127

7.3　储备式阴极128

7.4　空心阴极及其他133

第八章　场致发射135

引言135

8.1　金属的场致发射136

8.2　温度对于场致发射的影响139

8.3　场致发射的实验方法与结果141

8.4　场致发射显微镜及其他应用的展望143

第九章　次级电子发射147

引言147

9.1　纯金属的次级发射148

9.2　半导体、介质和复杂面的次级发射152

9.3　有效次级电子发射体155

9.4　非正常次级发射——英尔特效应158

9.5　关于次级发射的理论159

9.6　次级发射的实验方法163

第十章　光电发射169

引言169

10.1　金属光电发射的基本物理现象170

10.2　关于光电现象光谱特性的理论175

10.3　选择性光电效应及其解释179

10.4　复杂的光电阴极182